CEO：再一次领先业界 Intel发布史上最详细工艺和封装技术路线图
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今天，Intel发布了公司有史以来最详细的制程工艺和封装技术路线图，展示了一系列底层技术创新 。
除了公布其近十多年来首个全新晶体管架构RibbonFET 和业界首个全新的背面电能传输网络PowerVia之外，Intel还重点介绍了迅速采用下一代极紫外光刻（EUV）技术的计划，即高数值孔径（High-NA）EUV 。
据悉，Intel有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机 。
Intel CEO帕特·基辛格表示，基于Intel在先进封装领域毋庸置疑的领先性，我们正在加快制程工艺创新的路线图，以确保到2025年制程性能再度领先业界 。
Intel正利用我们无可比拟的持续创新的动力，实现从晶体管到系统层面的全面技术进步 。在穷尽元素周期表之前，我们将坚持不懈地追寻摩尔定律的脚步，并持续利用硅的神奇力量不断推进创新 。
Intel技术专家详述了以下路线图，其中包含新的节点命名和实现每个制程节点的创新技术：
【CEO：再一次领先业界 Intel发布史上最详细工艺和封装技术路线图】
Intel高级副总裁兼技术开发总经理Ann Kelleher博士
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